1. Принцип работы биполярного транзистора 3
2. Расчет выходной характеристики 7
Список литературы 10
1. Принцип работы биполярного транзистора...
Задание №7
Задание: Построить выходную зависимость IK от VБК для Ge n-p-n транзистора в схеме с ОБ при IЭ = 10 мА и Т = 300 К. Концентрация примеси: база 3,0Е+16 1/см3, эмиттер 5,0Е+17 1/см3, коллектор 5,0Е+15 1/см3. Подвижность носителей заряда: n – 1800 см2/(Вс), р – 600 см2/(Вс). Время жизни носителей заряда 5,000 мкс. Металлургическая ширина базы 10,0 мкм, коллектора 15 мкм, эмиттера 12 мкм. Площади переходов одинаковы и равны 6,0Е-5 см2. Ширину нейтральной области базы считать при VБК = 2 В.
Параметры Ge транзистора:
...
= 16...
Войти
в кабинет
в кабинет
Пролистайте материалы и убедитесь в качестве
1. Принцип работы биполярного транзистора... Задание №7 Задание: Построить выходную зависимость IK от VБК для Ge n-p-n транзистора в схеме с ОБ при IЭ = 10 мА и Т = 300 К. Концентрация примеси: база 3,0Е+16 1/см3, эмиттер 5,0Е+17 1/см3, коллектор 5,0Е+15 1/см3. Подвижность носителей заряда: n –... #1303385
Тема полностью: 1. Принцип работы биполярного транзистора... Задание №7 Задание: Построить выходную зависимость IK от VБК для Ge n-p-n транзистора в схеме с ОБ при IЭ = 10 мА и Т = 300 К. Концентрация примеси: база 3,0Е+16 1/см3, эмиттер 5,0Е+17 1/см3, коллектор 5,0Е+15 1/см3. Подвижность носителей заряда: n – 1800 см2/(Вс), р – 600 см2/(Вс). Время жизни носителей заряда 5,000 мкс. Металлургическая ширина базы 10,0 мкм, коллектора 15 мкм, эмиттера 12 мкм. Площади переходов одинаковы и равны 6,0Е-5 см2. Ширину нейтральной области базы считать при VБК = 2 В. Параметры Ge транзистора: ... = 16...
Артикул: 1303385
- Предмет: Физические основы микроэлектроники
- Уникальность: 87% (Антиплагиат.ВУЗ)
- Разместил(-а): 701 Лейсан в 2011 году
- Количество страниц: 11
- Формат файла: doc
1 970p.
1. Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника. – М.: Высшая школа, 1991. – 352 с.
2. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. - К.: Техника, 1980. – 464 с.
3. А.А. Зайцев. Полупроводниковые приборы. Под ред А.В. Голомедова. - М.: Радио и связь, 1994. – 384с.
4. Шимони К. Физическая электроника. – М.: Энергия, 1997. – 608 с.
5. Войшвилло Г.В., Караванов В.И. Проектирование усилительных устройств на транзисторах. - М.: Связь, 1972. – 184 с.
2. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. - К.: Техника, 1980. – 464 с.
3. А.А. Зайцев. Полупроводниковые приборы. Под ред А.В. Голомедова. - М.: Радио и связь, 1994. – 384с.
4. Шимони К. Физическая электроника. – М.: Энергия, 1997. – 608 с.
5. Войшвилло Г.В., Караванов В.И. Проектирование усилительных устройств на транзисторах. - М.: Связь, 1972. – 184 с.
Материалы, размещаемые в каталоге, с согласия автора, могут использоваться только в качестве дополнительного инструмента для решения имеющихся у вас задач,
сбора информации и источников, содержащих стороннее мнение по вопросу, его оценку, но не являются готовым решением.
Пользователь вправе по собственному усмотрению перерабатывать материалы, создавать производные произведения,
соглашаться или не соглашаться с выводами, предложенными автором, с его позицией.
| Тема: | 1. Принцип работы биполярного транзистора... Задание №7 Задание: Построить выходную зависимость IK от VБК для Ge n-p-n транзистора в схеме с ОБ при IЭ = 10 мА и Т = 300 К. Концентрация примеси: база 3,0Е+16 1/см3, эмиттер 5,0Е+17 1/см3, коллектор 5,0Е+15 1/см3. Подвижность носителей заряда: n – 1800 см2/(Вс), р – 600 см2/(Вс). Время жизни носителей заряда 5,000 мкс. Металлургическая ширина базы 10,0 мкм, коллектора 15 мкм, эмиттера 12 мкм. Площади переходов одинаковы и равны 6,0Е-5 см2. Ширину нейтральной области базы считать при VБК = 2 В. Параметры Ge транзистора: ... = 16... |
| Артикул: | 1303385 |
| Дата написания: | 10.01.2011 |
| Тип работы: | Курсовая работа |
| Предмет: | Физические основы микроэлектроники |
| Оригинальность: | Антиплагиат.ВУЗ — 87% |
| Количество страниц: | 11 |
Скрин проверки АП.ВУЗ приложен на последней странице.
Файлы артикула: 1. Принцип работы биполярного транзистора... Задание №7 Задание: Построить выходную зависимость IK от VБК для Ge n-p-n транзистора в схеме с ОБ при IЭ = 10 мА и Т = 300 К. Концентрация примеси: база 3,0Е+16 1/см3, эмиттер 5,0Е+17 1/см3, коллектор 5,0Е+15 1/см3. Подвижность носителей заряда: n –... по предмету физические основы микроэлектроники
Пролистайте "1. Принцип работы биполярного транзистора... Задание №7 Задание: Построить выходную зависимость IK от VБК для Ge n-p-n транзистора в схеме с ОБ при IЭ = 10 мА и Т = 300 К. Концентрация примеси: база 3,0Е+16 1/см3, эмиттер 5,0Е+17 1/см3, коллектор 5,0Е+15 1/см3. Подвижность носителей заряда: n –..." и убедитесь в качестве
После покупки артикул автоматически будет удален с сайта до 17.06.2024
Посмотреть остальные страницы ▼
Честный антиплагиат!
Уникальность работы — 87% (оригинальный текст + цитирования, без учета списка литературы и приложений), приведена по системе Антиплагиат.ВУЗ на момент её написания и могла со временем снизиться. Мы понимаем, что это важно для вас, поэтому сразу после оплаты вы сможете бесплатно поднять её. При этом текст и форматирование в работе останутся прежними.
Гарантируем возврат денег!
Качество каждой готовой работы, представленной в каталоге, проверено и соответствует описанию. В случае обоснованных претензий мы гарантируем возврат денег в течение 24 часов.
ПРЕДЫДУЩАЯ РАБОТА
Вариант 15 Задача 1 Методом последовательных эквивалентных преобразований представить электрическую цепь (рис. 1.) эквивалентной схемой в виде...
СЛЕДУЮЩАЯ РАБОТА
Численные методы Вариант 22 Конечно-разностный метод решения краевых задач для обыкно-венных дифференциальных уравнений Задание 1. Найти...