1. Принцип работы биполярного транзистора... Задание №7 Задание: Построить выходную зависимость IK от VБК для Ge n-p-n транзистора в схеме с ОБ при IЭ = 10 мА и Т = 300 К. Концентрация примеси: база 3,0Е+16 1/см3, эмиттер 5,0Е+17 1/см3, коллектор 5,0Е+15 1/см3. Подвижность носителей заряда: n –... #1303385

Тема полностью: 1. Принцип работы биполярного транзистора... Задание №7 Задание: Построить выходную зависимость IK от VБК для Ge n-p-n транзистора в схеме с ОБ при IЭ = 10 мА и Т = 300 К. Концентрация примеси: база 3,0Е+16 1/см3, эмиттер 5,0Е+17 1/см3, коллектор 5,0Е+15 1/см3. Подвижность носителей заряда: n – 1800 см2/(Вс), р – 600 см2/(Вс). Время жизни носителей заряда 5,000 мкс. Металлургическая ширина базы 10,0 мкм, коллектора 15 мкм, эмиттера 12 мкм. Площади переходов одинаковы и равны 6,0Е-5 см2. Ширину нейтральной области базы считать при VБК = 2 В. Параметры Ge транзистора: ...  = 16...
Артикул: 1303385
1 470p.
Оплатите артикул одним из 20 способов и сразу скачайте.
После оплаты он автоматически будет удален с сайта.
Никто кроме вас не сможет посмотреть его до 13.01.2025
1. Принцип работы биполярного транзистора 3
2. Расчет выходной характеристики 7
Список литературы 10

1. Принцип работы биполярного транзистора...
Задание №7
Задание: Построить выходную зависимость IK от VБК для Ge n-p-n транзистора в схеме с ОБ при IЭ = 10 мА и Т = 300 К. Концентрация примеси: база 3,0Е+16 1/см3, эмиттер 5,0Е+17 1/см3, коллектор 5,0Е+15 1/см3. Подвижность носителей заряда: n – 1800 см2/(Вс), р – 600 см2/(Вс). Время жизни носителей заряда 5,000 мкс. Металлургическая ширина базы 10,0 мкм, коллектора 15 мкм, эмиттера 12 мкм. Площади переходов одинаковы и равны 6,0Е-5 см2. Ширину нейтральной области базы считать при VБК = 2 В.
Параметры Ge транзистора:
...
 = 16...
1. Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника. – М.: Высшая школа, 1991. – 352 с.
2. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. - К.: Техника, 1980. – 464 с.
3. А.А. Зайцев. Полупроводниковые приборы. Под ред А.В. Голомедова. - М.: Радио и связь, 1994. – 384с.
4. Шимони К. Физическая электроника. – М.: Энергия, 1997. – 608 с.
5. Войшвилло Г.В., Караванов В.И. Проектирование усилительных устройств на транзисторах. - М.: Связь, 1972. – 184 с.
Материалы, размещаемые в каталоге, с согласия автора, могут использоваться только в качестве дополнительного инструмента для решения имеющихся у вас задач, сбора информации и источников, содержащих стороннее мнение по вопросу, его оценку, но не являются готовым решением. Пользователь вправе по собственному усмотрению перерабатывать материалы, создавать производные произведения, соглашаться или не соглашаться с выводами, предложенными автором, с его позицией.
Тема: 1. Принцип работы биполярного транзистора...
Задание №7
Задание: Построить выходную зависимость IK от VБК для Ge n-p-n транзистора в схеме с ОБ при IЭ = 10 мА и Т = 300 К. Концентрация примеси: база 3,0Е+16 1/см3, эмиттер 5,0Е+17 1/см3, коллектор 5,0Е+15 1/см3. Подвижность носителей заряда: n – 1800 см2/(Вс), р – 600 см2/(Вс). Время жизни носителей заряда 5,000 мкс. Металлургическая ширина базы 10,0 мкм, коллектора 15 мкм, эмиттера 12 мкм. Площади переходов одинаковы и равны 6,0Е-5 см2. Ширину нейтральной области базы считать при VБК = 2 В.
Параметры Ge транзистора:
...
 = 16...
Артикул: 1303385
Дата написания: 10.01.2011
Тип работы: Курсовая работа
Предмет: Физические основы микроэлектроники
Оригинальность: Антиплагиат.ВУЗ — 87%
Количество страниц: 11
Скрин проверки АП.ВУЗ приложен на последней странице.
А ты умеешь выполнять такие работы?

Файлы артикула: 1. Принцип работы биполярного транзистора... Задание №7 Задание: Построить выходную зависимость IK от VБК для Ge n-p-n транзистора в схеме с ОБ при IЭ = 10 мА и Т = 300 К. Концентрация примеси: база 3,0Е+16 1/см3, эмиттер 5,0Е+17 1/см3, коллектор 5,0Е+15 1/см3. Подвижность носителей заряда: n –... по предмету физические основы микроэлектроники

Пролистайте "1. Принцип работы биполярного транзистора... Задание №7 Задание: Построить выходную зависимость IK от VБК для Ge n-p-n транзистора в схеме с ОБ при IЭ = 10 мА и Т = 300 К. Концентрация примеси: база 3,0Е+16 1/см3, эмиттер 5,0Е+17 1/см3, коллектор 5,0Е+15 1/см3. Подвижность носителей заряда: n –..." и убедитесь в качестве

После покупки артикул автоматически будет удален с сайта до 13.01.2025
Курсовая — 1. Принцип работы биполярного транзистора... Задание №7 Задание: Построить выходную зависимость IK от — 1
Курсовая — 1. Принцип работы биполярного транзистора... Задание №7 Задание: Построить выходную зависимость IK от — 2
Курсовая — 1. Принцип работы биполярного транзистора... Задание №7 Задание: Построить выходную зависимость IK от — 3
Курсовая — 1. Принцип работы биполярного транзистора... Задание №7 Задание: Построить выходную зависимость IK от — 4
Курсовая — 1. Принцип работы биполярного транзистора... Задание №7 Задание: Построить выходную зависимость IK от — 5
Курсовая — 1. Принцип работы биполярного транзистора... Задание №7 Задание: Построить выходную зависимость IK от — 6
Посмотреть остальные страницы ▼
Честный антиплагиат! Честный антиплагиат!
Уникальность работы — 87% (оригинальный текст + цитирования, без учета списка литературы и приложений), приведена по системе Антиплагиат.ВУЗ на момент её написания и могла со временем снизиться. Мы понимаем, что это важно для вас, поэтому сразу после оплаты вы сможете бесплатно поднять её. При этом текст и форматирование в работе останутся прежними.
Гарантируем возврат денег! Гарантируем возврат денег!
Качество каждой готовой работы, представленной в каталоге, проверено и соответствует описанию. В случае обоснованных претензий мы гарантируем возврат денег в течение 24 часов.

Утром сдавать, а работа еще не написана?

Утром сдавать, а работа еще не написана?
Через 30 секунд после оплаты вы скачаете эту работу!
Сегодня уже купили 1 работу. Успей и ты забрать свою пока это не сделал кто-то другой!