1. Принцип работы биполярного транзистора 3
2. Расчет выходной характеристики 6
Список литературы 9
… На границах между p и n областями возникает область пространственного заряда, причем электрические поля в эмиттерном и коллекторном переходах направлены так, что для pnp транзистора базовая область создает энергетический барьер для дырок, стремящихся перейти из эмиттера в коллектор, для npn транзистора базовая область создает аналогичный барьер для электронов эмиттерной области. При отсутствии внешнего смещения на переходах потоки носителей заряда через переходы скомпенсированы и токи через электроды транзистора отсутствуют. ...
Войти
в кабинет
в кабинет
Пролистайте материалы и убедитесь в качестве
Вариант 29: 1. Принцип работы биполярного транзистора; 2. Расчет выходной характеристики. #1102407
Артикул: 1102407
- Предмет: Физические основы микроэлектроники
- Уникальность: 60% (Антиплагиат.ВУЗ)
- Разместил(-а): 712 Леонид в 2010 году
- Количество страниц: 10
- Формат файла: doc
670p.
1 500p.
3 и 4 ноября!
1. Шимони К. Физическая электроника. – М.: Энергия, 1997. – 608 с.
2. Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника. – М.: Высшая школа, 1991. – 352 с.
3. А.А. Зайцев. Полупроводниковые приборы. Под ред А.В. Голомедова. - М.: Радио и связь, 1994. – 384с.
4. Войшвилло Г.В., Караванов В.И. Проектирование усилительных устройств на транзисторах. - М.: Связь, 1972. – 184 с.
5. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. - К.: Техника, 1980. – 464 с.
2. Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника. – М.: Высшая школа, 1991. – 352 с.
3. А.А. Зайцев. Полупроводниковые приборы. Под ред А.В. Голомедова. - М.: Радио и связь, 1994. – 384с.
4. Войшвилло Г.В., Караванов В.И. Проектирование усилительных устройств на транзисторах. - М.: Связь, 1972. – 184 с.
5. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. - К.: Техника, 1980. – 464 с.
Материалы, размещаемые в каталоге, с согласия автора, могут использоваться только в качестве дополнительного инструмента для решения имеющихся у вас задач,
сбора информации и источников, содержащих стороннее мнение по вопросу, его оценку, но не являются готовым решением.
Пользователь вправе по собственному усмотрению перерабатывать материалы, создавать производные произведения,
соглашаться или не соглашаться с выводами, предложенными автором, с его позицией.
| Тема: | Вариант 29: 1. Принцип работы биполярного транзистора; 2. Расчет выходной характеристики. |
| Артикул: | 1102407 |
| Дата написания: | 18.12.2010 |
| Тип работы: | Курсовая работа |
| Предмет: | Физические основы микроэлектроники |
| Оригинальность: | Антиплагиат.ВУЗ — 60% |
| Количество страниц: | 10 |
Скрин проверки АП.ВУЗ приложен на последней странице.
Файлы артикула: Вариант 29: 1. Принцип работы биполярного транзистора; 2. Расчет выходной характеристики. по предмету физические основы микроэлектроники
Пролистайте "Вариант 29: 1. Принцип работы биполярного транзистора; 2. Расчет выходной характеристики." и убедитесь в качестве
После покупки артикул автоматически будет удален с сайта до 03.01.2025
Посмотреть остальные страницы ▼
Честный антиплагиат!
Уникальность работы — 60% (оригинальный текст + цитирования, без учета списка литературы и приложений), приведена по системе Антиплагиат.ВУЗ на момент её написания и могла со временем снизиться. Мы понимаем, что это важно для вас, поэтому сразу после оплаты вы сможете бесплатно поднять её. При этом текст и форматирование в работе останутся прежними.
Гарантируем возврат денег!
Качество каждой готовой работы, представленной в каталоге, проверено и соответствует описанию. В случае обоснованных претензий мы гарантируем возврат денег в течение 24 часов.
Утром сдавать, а работа еще не написана?
Через 30 секунд после оплаты вы скачаете эту работу!
Сегодня уже купили 4 работы. Успей и ты забрать свою пока это не сделал кто-то другой!
ПРЕДЫДУЩАЯ РАБОТА
Решить задачи: Задача 1. Методом последовательных эквивалентных преобразований и т.д.; Задача 2. Пользуясь законами Кирхгофа рассчитать токи и...
СЛЕДУЮЩАЯ РАБОТА
Архитектура и строительство, цели и задачи