Задача 1 3
Задача 2 4
Ответы на вопросы 5
Задача 2.18, Определите диапазон температур ДТ, при которых будет наблюдаться область истощения; примеси в дырочном германии с концен-трацией акцепторов … полагая, что ширина запрещенной зоны …, эффективные плотности состояний в зоне проводимости … н в валентной зоне не зависят от температуры, а энергия ионизации акцепторного уровня Ea-Ev = 0,01 эВ.
Задача 3.17. Вычислите удельные сопротивления двух кремниевых
q 1 *7 _ ;
образцов, из которых первый содержит 10“ м J. а второй 10 м атомов бора, ионизированных при Т=300 К . При указанной температуре собственная концентрация носителей заряда в кремнии равна 1.6x1016 м_3. подвижность электронов ц„= 0,15 м2/В-с и подвижность дьфок Цр=0.0б м2/В с.
Вопрос ЛГа 8
Укажите правильную зависимость потенциальной энергии электро
на в кристалле от координаты х..
Сколько электронных ровней и каким образом расщепляются в изо-лированном атоме при образовании кристалла? Ответы:
1) расщепляются все уровни электронов в каждом атоме одинаковым
2) расщепляются только свободные от электронов уровни;
3) расщепляются все энергетические уровни в каждом изолированном атоме; при этом наиболее сильно уровень, который находится ближе к яд-
4) расщепляются все уровни с разной степенью: наиболее слабо внутренний уровень (у ядра), максимальное расщепление испытывает внешний
Каким образом распределены электроны по энергетическим зонам в
1) все энергетические зоны заняты электронами;
2) все нижние разрешенные зоны заняты электронами, тогда как в верхней зоне, содержащей электроны, занята только часть энергетических
3) очень высокая плотность уровней в нижних зонах металлов объясняет наличие в них большого количества свободных электронов;
4) верхняя разрешенная зона в металлах не имеет свободных электро-
Почему при повышении температуры от О К полупроводники начинают пропускать электрический ток? Ответы:
1) вследствие низкой э.д.с. источника питания;
2) при повышении температуры начинается переброс электронов из валентной зоны в зону проводимости, где они могут повышать свою энер-
3) с ростом температуры электроны валентной зоны получают возмож-ность участвовать в электрическом токе за счет появления в ней свобод-
4) при Т = О К и при Т > О К полупроводники пропускают только по-
Вопрос№ 26
Покажите дисперсионные кривые - зависимости Е(к) для Ge. Si и GaAs. Ответы укажите строго в той последовательности, которая предусмотрена в вопросе.
Вопрос JV* 32
Какой знак имеет эффективная масса электрона у дна н потолка любой разрешенной зоны? Укажите правильные ответы в приведенной в вопросе последовательностн. Ответы:
1) > О, тп* < 0. 2) тп* < 0, тп* < 0,
3) т* < 0: тп* > О, 4) т„* > О, тп* > 0.
Вопрос JSb 42
Какие примесные атомы характерны для полупроводников п- и р- гнпов? Ответы:
1) в электронном германии обычны до норные атомы-элементы 5 груп- ты: P. Sb, As ;
2) в дырочном Si - элементы 3 группы: В: AL Go, In:
3) в собственном германии - атомы Ge; в собственном кремнии - атомы Si в узлах кристаллических решеток;
4) тип полупроводника определяется не примесными атомами, а типом =го кристаллической решетки.
Вопрос JYa 54
Укажите соотношения для расчета концентраций свободных элек- ронов и дырок в собственном полупроводнике. Ответы:
1) т = (NcNv)12 АЕ/ 2кТ): 2) m = (NcNd)12 zxp[-(Ec-Ed)?2kT\ :
3) п,= (NaNv)12 ехр[-(Е^Ет)/2кТ]; 4) щ = (NdNa)15 oxp[-(Ea-Ed)I2kT\
Вопрос JSa 56
Какое выражение определяет концентрацию дьфок в акцепторном полупроводнпке? Ответы:
1) рр = (ад.)12' ехр\-(Еа-Е,)/кТ\-
2) рр = Nc ехр[-(Еа-Е^)/кТ\-,
3) pp=Nd ■ erp [ - (Ej-Ei,)/кТ\;
4) рр = (NM2)1 “' ехр[-(Еа-Е,)/2кТ].
Какое из нижеприведенных утверждений правильно определяет длину свободного пробега носителя заряда в полупроводнике? Ответы:
1) это средний отрезок пути, который проходит электрон между двумя последовательными столкновениями;
2) это расстояние, на которое перемещается электрон при изменении напряженности электрического поля на 1 В/см;
3) это среднее расстояние, проходимое электроном за время релакса-
4) это расстояние, проходимое электроном или дыркой за единицу
Как изменяются в слабых электрических полях дрейфовые скорости электронов и дырок при увеличении напряженности электрического поля?
1) дрейфовая скорость электронов линейно возрастает;
2) скорость дрейфа дырок линейно уменьшается;
3) дрейфовые скорости электронов и дырок одинаковы;
4) дрейфовые скорости электронов и дырок пропорциональны напря-
Что называется генерацией носителей заряда в полупроводниках? От
1) переброс носителей заряда с примесных уровней в соответствующие разрешенные зоны или из валентной зоны в зону проводимости;
2) механические колебания носителей заряда в переменном электриче-
3) процессы создания свободных электронов и дырок в соответствую -
4) это проникновение примесных атомов в кристаллическую решетку и установление химических связей с атомами полупроводника.
Среди нижеприведенных укажите реальные механизмы генерации но-сителей заряда в полупроводниках. Ответы:
1) тепловая генерация; 2) оптическая; 3) магнитная;
4) термоэлектронная; 5) гравитационная; б) ударная:
7) электростатическая; 8) монополярная; 9) биполярная.
Укажите среди нижеприведенных формулы, которые описывают рав-новесные плотности токов неосновных носителей заряда в р-п переходе.
Здесь рпо и про - концентрации неосновных носителей заряда в п- пр- областях. {& - напряженность контактного поля; Ln, Lp - диффузионные длины электронов и дырок; |дИ; ]\Р -подвижности электронов и дырок; тл, времена жизни неосновных носителей заряда.
Войти
в кабинет
в кабинет
Пролистайте материалы и убедитесь в качестве
Решить две задачи и ответить на тестовые вопросы #1505403
Артикул: 1505403
- Предмет: Физические основы микроэлектроники
- Уникальность: 60% (Антиплагиат.ВУЗ)
- Разместил(-а): 734 Тимур в 2015 году
- Количество страниц: 10
- Формат файла: docx
1 990p.
Материалы, размещаемые в каталоге, с согласия автора, могут использоваться только в качестве дополнительного инструмента для решения имеющихся у вас задач,
сбора информации и источников, содержащих стороннее мнение по вопросу, его оценку, но не являются готовым решением.
Пользователь вправе по собственному усмотрению перерабатывать материалы, создавать производные произведения,
соглашаться или не соглашаться с выводами, предложенными автором, с его позицией.
| Тема: | Решить две задачи и ответить на тестовые вопросы |
| Артикул: | 1505403 |
| Дата написания: | 09.09.2015 |
| Тип работы: | Контрольная работа |
| Предмет: | Физические основы микроэлектроники |
| Оригинальность: | Антиплагиат.ВУЗ — 60% |
| Количество страниц: | 10 |
Файлы артикула: Решить две задачи и ответить на тестовые вопросы по предмету физические основы микроэлектроники
Пролистайте "Решить две задачи и ответить на тестовые вопросы" и убедитесь в качестве
После покупки артикул автоматически будет удален с сайта до 27.05.2024
Посмотреть остальные страницы ▼
Честный антиплагиат!
Уникальность работы — 60% (оригинальный текст + цитирования, без учета списка литературы и приложений), приведена по системе Антиплагиат.ВУЗ на момент её написания и могла со временем снизиться. Мы понимаем, что это важно для вас, поэтому сразу после оплаты вы сможете бесплатно поднять её. При этом текст и форматирование в работе останутся прежними.
Гарантируем возврат денег!
Качество каждой готовой работы, представленной в каталоге, проверено и соответствует описанию. В случае обоснованных претензий мы гарантируем возврат денег в течение 24 часов.
ПРЕДЫДУЩАЯ РАБОТА
Изучение вынужденного и свободного режимов работы колебательных цепей. Компьютерное моделирование задачи определения сигнала на выходе линейной цепи.
СЛЕДУЮЩАЯ РАБОТА
Вариант 36. Решить задачи: 1. Рабочее тело-озон, обладающий свойствами идеального газа, имеющий давление 98910Па и температуру 16˚С, используется...